Embedded 为什么NAND或NOR中的擦除不按页执行？

擦除总是按块执行，而不是按页或字执行。如果可以按页执行读写，为什么不擦除？

这是由于闪存设备的物理结构，其中内存阵列被划分为块。根据设备制造商的慷慨程度，只能以块的形式擦除存储在设备中的数据，可以一次擦除一个块，也可以顺序或并行地擦除多个块。正如处理器字或页的大小（无论定义为什么）在处理器体系结构之间可能有所不同，这些块的大小在设备之间也会有所不同——我使用过扇区在32字节和128K字节之间的设备

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如果您需要能够擦除内存中的单个字节，则需要使用EEPROM内存。

我认为这是因为NAND和NOR的内部结构，如果您研究NAND和NOR的结构，您将得到答案。这个问题似乎与主题无关，因为它与电子硬件有关。NOR flash没有页面的概念-块和页面是NOR的同义词。NAND闪存不是随机存取，必须逐页读取，逐块擦除，为了在用作大容量存储器时的灵活性和效率，块和页的大小不必相同。所有这些信息都是可用的。我更详细地问了这个问题，答案是：