ARM Neon：有条件存储建议

我正试图找出如何在ARM neon中生成条件存储。我想做的是与本SSE指令等效的：

void u mm u maskmoveu si128（uu m128i d，uuu m128i n，char*p）

它有条件地将d的字节元素存储到地址p。选择器n中每个字节的高位决定是否存储d中的相应字节

有没有关于如何使用NEON intrinsics的建议？ 多谢各位

这就是我所做的：

int8x16_t store_mask = {0,0,0,0,0,0,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff};

int8x16_t tmp_dest = vld1q_u8((int8_t*)p_dest);
vbslq_u8(source,tmp_dest,store_mask);
vst1q_u8((int8_t*)p_dest,tmp_dest);

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假设向量是16 x 1字节的元素，您将设置一个掩码向量，其中每个元素要么都是0（

0x00

），要么都是1（

0xff

），以确定该元素是否应存储在not上。然后需要执行以下操作（伪代码）：

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你需要分三步完成：首先加载向量，使用掩码修改所需元素，然后将修改后的向量存储回其原始位置。抱歉，我仍然不清楚。我想做的是：使用这样一个向量：mask={0,0,0,0,0,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80}；这是我在_mm_maskmoveu_si128中的“n”参数（__m128id，__m128in，char*p）；案例你所说的面具应该如何构造？我应该做什么手术？谢谢你（我以前从未使用过霓虹灯，所以我有点困惑）。好吧-因为它变得越来越复杂，我在下面的答案中做了更详细的解释。谢谢！我将尝试按照您的解释来实现它。我按照您的伪代码来实现它（请参见编辑的问题）。这是正确的吗？我还有一个疑问。原始代码中的掩码（带有一些我试图转换为ARM Neon的SSE指令）是：{0,0,0,0,0,0,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80}；。是否有理由使用0x80代替0xff？谢谢，这只是一个不同的指令集，所以您必须使用可用的指令集。如果需要（一条指令），在0x80和0xff之间转换掩码非常容易，或者您可以更改生成掩码的代码，这样就不需要了。好的，如果我理解正确，我不能使用与SSE指令相同的掩码？要在ARM neon中获得相应的一个，我只需将0x80替换为0xff？是的，这是正确的-掩码的最常见形式是全1/全0。您只需要将0x80元素转换为0xff，如果需要，可以在一条指令中完成（算术右移7位）。

 init mask vector = 0x00/0xff in each element
 init source vector = data to be selectively stored
 load dest vector from dest location
 apply `vbslq_u8` (`vbit` instruction) with dest vector, source vector and mask vector
 store dest vector back to dest location