Microcontroller 使用HAL_闪存_程序STM32L0写入闪存

我试图使用HAL_flash_程序（uint32_t TypeProgram、uint32_t Address、uint32_t data）在闪存中的特定区域写入一些字节的数据。但我目前对HAL用户手册19.2.7“指定地址的程序字”的理解不清楚它是什么意思？如何将字节写入内存，例如：

char*demo=“nucleo”

char* demo="nucleo";
int main(){
.
.
ScratchWrite(FLASH_SCRATCH_START, demo);
.
.
}


 uint32_t ScratchWrite(uint32_t destination, uint32_t *p_source)
{


  HAL_FLASH_Unlock();


    /* Write the buffer to the memory */
   HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,destination, p_source );


  HAL_FLASH_Lock();

  return status;
}

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HAL\u FLASH\u程序

允许您在指定地址下写入给定数量的字节。第一个函数参数

uint32\u t TypeProgram

控制要写入的块的大小。可能是：

#define FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE        ((uint32_t)0x00U)  /*!< Program byte (8-bit) at a specified address           */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD    ((uint32_t)0x01U)  /*!< Program a half-word (16-bit) at a specified address   */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD        ((uint32_t)0x02U)  /*!< Program a word (32-bit) at a specified address        */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD  ((uint32_t)0x03U)  /*!< Program a double word (64-bit) at a specified address */

将在地址

0x801000

下写入

“nucl”

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您想用

HAL\u FLASH\u program

编程的块大小完全取决于您自己，如果您在编程大部分FLASH时选择小块（

FLASH\u TYPEPROGRAM\u BYTE

），则会影响性能。

这将是两个字，8个字节，所以肯定要做两次写入。

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, 0x8010000, *(uint32_t*)demo);