Arm 缓存内存和紧密耦合内存有什么区别

由于嵌入在CPU内，TCM具有 哈佛建筑，所以有一个ITCM（教学TCM） 和DTCM（数据TCM）。DTCM不能包含任何 指令，但ITCM实际上可以包含数据。 DTCM或ITCM的大小最小为4KB，因此 最小配置为4KB ITCM和4KB DTCM

看起来tcm和缓存有着相同的用途

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没有。他们在解释中没有使用单词cache

缓存使用访问模式来填充缓存中的数据。它有额外的硬件来跟踪备份地址，并且可能与其他系统实体（SMP）通信，以跟踪缓存线何时变脏（其他人已将某些内容写入主内存）

“TCM”（紧耦合存储器）速度很快，可能是SRAM多管存储器，就像高速缓存一样。两者都有到CPU的快速专用连接。然而，实现TCM的开销远小于缓存。通常，TCM是在较低端（可能是Cortex-M）手臂设备上发现的

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大多数CPU缓存都有一个锁定功能，使它们能够像TCM一样工作。但是，TCM不具备动态缓冲高使用率代码和数据的能力。正因为如此，TCM（和锁定缓存）可能更具确定性，这可能有助于硬实时应用程序。

这就是我发现的更简洁、更切题的地方

高速缓存采用片上存储器和控制逻辑实现。紧耦合存储器由片上存储器和专用连接实现

紧耦合内存在地址映射中具有固定的范围。缓存不存在于地址映射中（……它有点存在……只是不要将其视为物理内存），而是充当处理器和内存之间的中间层，以（希望）提供更高效的内存访问

紧耦合存储器具有确定的存取时间。通过缓存的访问是不确定的，因为数据将存在于缓存中（hit），或者必须从主存中获取数据（miss）

另一个

虽然两者都是访问速度非常快的内存，但与连接到全局Avalon矩阵的标准内存相比，缓存动态存储最近用于提高访问速度的数据/代码。每次需要访问内存时，处理器都会检查所需的数据是否已经存在于缓存中，或者必须从内存中新获取；与此同时，旧的未使用缓存数据正在不断地被新数据替换。

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紧耦合内存也是一种快速访问内存，因为它利用一个专用端口，但它有静态内容：您可以决定需要什么，然后在链接器脚本中指定它。

TCM分配了地址空间，以便您可以在内存映射中找到它。您可以控制链接时已存储在那里的数据。只需将其视为一个正常的系统内存，其访问时间与缓存类似。通常，来自TCM的数据是不可缓存的

如果我们忽略双可配置缓存和TCM，缓存应该连接到总线接口（BIU）以连接外部内存，而TCM不是。原因是TCM本身就有原始数据。而缓存是外部内存内容的临时存储（为了提高速度）

我正在使用STM32F777II，我想知道如何强制链接器仅在TCM/CCM中存储一些指定的变量和结构，而不在常规RAM中？这取决于您使用的链接器。使用gnu ld，阅读关于哪个使用的地址，或仅使用

在

处指定地址。还取决于MMU或LMA/VMA问题。TCM也可由DMA外围设备解决。锁定的缓存可能允许这样做，但可能性较小。通常情况下，这取决于总线结构，因此任何SOC（无论哪种情况）都可能只支持有限的一组设备。许多SOC还具有“片上”RAM。这通常也是零等待状态内存。对于任何内存类型，“零等待”状态都是CPU可以使用的最快内存。这意味着CPU的“负载存储”阶段比计算部分花费的时间更少。一些Cortex-M系统同时具有I/D和TCM。这是“哈佛”体系结构，如果没有缓存，它将具有最大的优势。因此，请阅读数据表，了解TCM在系统中的具体操作；但它与回答中提到的

缓存

不同。