Memory 速度比较eeprom闪存sram

目前为atmel tiny45微控制器编码，我使用了几个查找表。哪里是存放它们的最好地方？您能告诉我sram闪存eeprom之间的内存速度差异吗？

eeprom是目前最慢的替代方案，写入访问时间为10ms。读访问的速度大约和闪存访问一样快，加上地址设置和触发的开销。因为EEPROM的地址寄存器中没有自动递增，所以每个字节读取至少需要四条指令

SRAM访问是最快的（直接寄存器访问除外）

闪存比SRAM慢一点，在任何情况下都需要间接寻址（Z指针），SRAM访问可能需要或不需要间接寻址，具体取决于表的结构和访问模式

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有关指令的执行时间，请参见，尤其是

LPM

与

LDS

、

LD

和

LDD

指令的比较。

@MarekK您完全正确。IIRC，实际的EEPROM读取操作只有大约2个时钟周期的惩罚。-然而，首先写入地址以访问EEARx，然后通过EECR触发读取需要为每个字节读取额外三条指令。在许多情况下，这并不是那么糟糕。我希望他们能在微处理器中实现FRAM或MRAM，这将提供全新的方法和效率。