Arm 将代码从外部闪存加载到RAM
我使用的是ARM Cortex M3体系结构，当我的主板持续运行时，我的当前代码面临数据损坏的问题，因为我使用的是内部闪存和ram，这可能导致数据部分中的一些数据被重写。现在我计划使用的是一个外部闪存，它将有程序，内部闪存将有所有必要的初始化，一旦板启动，内部闪存程序被执行，然后我希望外部闪存的代码被加载到ram中，并继续流动。请帮助我的方法或建议我一个更好的方法。如果不经过微控制器特定的许多步骤，例如解锁闪存、提供擦除地址、写入地址和执行指令，就不可能写入内部闪存。如果这是随机发生的，我会感到惊讶 你会写flash吗？检查这些代码，看看这是否是问题所在Arm 将代码从外部闪存加载到RAM,arm,Arm,我使用的是ARM Cortex M3体系结构，当我的主板持续运行时，我的当前代码面临数据损坏的问题，因为我使用的是内部闪存和ram，这可能导致数据部分中的一些数据被重写。现在我计划使用的是一个外部闪存，它将有程序，内部闪存将有所有必要的初始化，一旦板启动，内部闪存程序被执行，然后我希望外部闪存的代码被加载到ram中，并继续流动。请帮助我的方法或建议我一个更好的方法。如果不经过微控制器特定的许多步骤，例如解锁闪存、提供擦除地址、写入地址和执行指令，就不可能写入内部闪存。如果这是随机发生的，我会感到
你确定这就是发生在你身上的事吗 更好的方法是按照设计使用内部闪存和ram。应该没有理由使用此外部闪存。听起来像是错误代码，你做了什么来证明它不是 如果您希望使用一个“确定”，那么就使用一个基于spi的闪存或任何您想要的设备，内部闪存引导，将程序从外部复制到ram并运行它
为什么不直接从内部闪存复制到ram并在ram中运行呢？如果您信任内部闪存从中引导和从中初始化，那么您应该信任它从中复制。您是否在不修改闪存等待状态的情况下增加了主时钟？当你关闭电源时，它是否损坏，或者它是否工作，然后在以后出现损坏？当你转储闪存时，你看到了什么，它与你认为你编程的不匹配吗？啊。数据即ram，通常与处理器运行速度一样快，但可能不取决于设计，可能你正在超频ram？听起来这只是代码中的一个简单错误。长时间运行可能会增加出现故障的几率，因为在某个地方处于计时边缘，允许您没有计划的事件/中断，或者您计划的事件/中断太接近或出现故障，您的代码被破坏，等等…我的频率是50Mhz，我的电路板设计用于从服务器接收数据，并通过7seg显示器显示数据。开始时，我设置了电路板的IP，但经过一段时间（7天及以上），当我检查IP时，它会发生变化。但是我的板仍然接收并显示数据。我被困在这一点上。是否存在闪存或ram等待状态设置，当您将时钟设置为50Mhz时，您必须增加等待状态？您是直接从微控制器驱动显示器，还是其中有晶体管来提高功率？你确定微控制器可以驱动这些部分，尤其是在最坏的情况下，当它们全部启动时？它不会耗尽芯片，使其在保持ram或其他逻辑正确方面处于边缘？同样地，无论你同时驾驶多少个信号灯，当你从全开到全关时，地面都会反弹？您已经构建了多少个，有多少个存在此问题？您是否已经在没有连接显示器的情况下运行了很长一段时间，以消除负载，并查看它是否仍然损坏？