stm32闪存半页写入

当我在stm32微控制器上执行从闪存到闪存的半页写入时，我是否需要RAM缓冲区来保持这些读取值，然后再写入它们？我的意思是，我有两个独立的闪存区域，我想把一些数据从第一个区域复制到第二个区域。我需要创建缓冲区，先读取一个phalf页面，然后再写入它，还是可以同时执行

编辑：

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我要执行闪存页复制-将闪存中的内存块复制到闪存中的不同地址

如果需要将另一半数据保留在目标闪存页中，则需要先读取它们，然后再擦除该页并复制源页的一半。然后再次写入临时存储的数据。
否则，您可以删除页面并写入源页面的一半。

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请注意，如果您失去电源，您将失去临时存储的数据。

答案是，我需要首先将数据处理到临时缓冲区，因为在写入闪存时，读取操作被暂停，因此无法从不同的页面读取。

您能重新表述您的问题吗？是否要进行flash页面复制？还是eeprom仿真？