Arm 如何将应用程序文件闪存到外部闪存芯片中来测试FASTSRAM？

我们正在研究ARM处理器，最初我们已经开发了一段代码来测试我们项目中的FASTSRAM，并且我们在调试模式下测试成功。之后，我们将相同的代码闪存到闪存中，需要在ARM RAM中执行。我们已经成功地完成了所有的闪烁程序。稍后，在闪烁后测试FASTSRAM时，我们被敲打，测试失败

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有人能帮我解决这个问题吗？

看看地图文件；可能会将其与重新定位代码一起发布。请重新表述“需要从这里开始在ARM RAM中执行”的语句，以使其更清楚。调试模式和非调试模式下的代码应在同一位置运行。它存在于闪存上，只是为了在通电时加载到RAM中。之后，代码本身应位于只读内存段中（总线配置为只读，而不是像EPROM、闪存等那样的“物理只读”）。您的快速RAM（二级缓存或其他）应该只包含数据，因此调试模式和非调试模式的结果应该相同。