如何防止Atmel Studio gcc 6.3.1将4字节memcmp（）优化为4字节直接比较？

使用提供的gcc 6.3.1运行Atmel Studio，为Atmel/微芯片SAMV70（ARM Cortex-M7）芯片构建固件。我的代码使用

memcmp（）

将4字节输入数组与4字节本地数组进行比较。当使用

-O0

编译以禁用优化时，它可以正常工作。当使用

-Os

进行编译以优化大小或使用

-O3

进行最大优化时，编译器将使用直接的4字节比较来替换

memcmp（）

调用（通过检查反汇编进行验证）。不幸的是，优化有时也会将本地4字节数组移动到未对齐的起始地址，因此，尽管

memcmp（）

可以正常工作，但由于未对齐的访问，直接比较会触发一个

硬故障

在我看来，这是一个100%的编译器优化错误（可能是gcc，可能是Atmel添加的东西），但我仍然坚持使用提供的编译器，所以更新不是一个选项。所以这里是我的实际问题：有没有一种方法可以让优化保持启用，但禁用这个特定的优化？否则，我将被迫将本地4字节数组与4字节对齐，或者寻找其他解决方法

编译器版本：
gcc版本6.3.1 20170620（发布）[ARM/embedded-6-branch版本249437]（Atmel版本：508）

下面是一个可能触发故障的示例函数：

bool example(uint8_t *input_data)
{
    uint8_t local_data[4] = { 0x00, 0x01, 0x02, 0x03 };

    return (memcmp(input_data, local_data, 4) == 0);
}

我的代码总是传递4字节对齐的
输入数据，所以这不是问题，但编译器优化再次认为这是理所当然的，这是不好的形式。
回答我自己的问题，因为Eugene没有发布正式答案：

从gcc ARM选项中：

默认情况下，所有ARMv6之前版本、所有ARMv6-M都禁用未对齐访问
对于ARMv8-M基线体系结构，并为所有其他体系结构启用
架构

这意味着默认情况下，ARMv7-M允许未对齐的访问。事实证明，这是有意义的，因为从ARMv7-M架构参考手册：

以下数据访问支持未对齐的寻址，并且仅支持
当CCR.UNALIGN_TRP位设置为1时生成对齐故障，
请参阅配置和控制寄存器：

•非半字对齐LDR{S}H{T}和STRH{T}

•非半字对齐TBH

•非单词对齐的LDR{T}和STR{T}

这意味着ARMv7-M支持一组有限的未对齐访问。但是，它不支持所有未对齐的访问：

以下数据访问始终会生成对齐故障：

•非半字对齐LDREXH和STREXH

•非单词对齐的LDREX和STREX

•非单词对齐的LDRD、LDMIA、LDMDB、POP、LDC、VLDR、VLDM和VPOP

•非字对齐的STRD、STMIA、STMDB、PUSH、STC、VSTR、VSTM和
VPUSH

而且：

对强顺序和设备内存类型的访问必须始终是
自然对齐

以下是促使我提出初始问题的故障条件：

启用优化的gcc正在用直接比较取代4字节的
memcmp（）
，这在默认情况下是允许的，因为默认情况下允许未对齐的访问。所以这不是一个编译器错误
包含该
memcmp（）
数据的闪存区域位于声明为
强顺序的MPU段中，该段不支持未对齐访问。因此，当用直接比较替换
memcmp（）
时，数据落在未对齐的地址上，比较触发了一个
硬故障

Eugene在最初的评论中得到了正确的解决方案是将
-mno unaligned access
添加到编译器选项中。在我的例子中，这仍然允许编译器用直接4字节比较替换
memcmp（）
，但它也强制数据4字节对齐，允许比较成功而不触发故障条件。
回答我自己的问题，因为Eugene没有发布正式答案：

从gcc ARM选项中：

默认情况下，所有ARMv6之前版本、所有ARMv6-M都禁用未对齐访问
对于ARMv8-M基线体系结构，并为所有其他体系结构启用
架构

这意味着默认情况下，ARMv7-M允许未对齐的访问。事实证明，这是有意义的，因为从ARMv7-M架构参考手册：

以下数据访问支持未对齐的寻址，并且仅支持
当CCR.UNALIGN_TRP位设置为1时生成对齐故障，
请参阅配置和控制寄存器：

•非半字对齐LDR{S}H{T}和STRH{T}

•非半字对齐TBH

•非单词对齐的LDR{T}和STR{T}

这意味着ARMv7-M支持一组有限的未对齐访问。但是，它不支持所有未对齐的访问：

以下数据访问始终会生成对齐故障：

•非半字对齐LDREXH和STREXH

•非单词对齐的LDREX和STREX

•非单词对齐的LDRD、LDMIA、LDMDB、POP、LDC、VLDR、VLDM和VPOP

•非字对齐的STRD、STMIA、STMDB、PUSH、STC、VSTR、VSTM和
VPUSH

而且：

对强顺序和设备内存类型的访问必须始终是
自然对齐

以下是促使我提出初始问题的故障条件：

启用优化的gcc正在用直接比较取代4字节的
memcmp（）
，这在默认情况下是允许的，因为默认情况下允许未对齐的访问。所以这不是一个编译器错误
包含该
memcmp（）
数据的闪存区域位于声明为
Stron的MPU段中