C 无法在其他文件中更新存储在闪存中的变量STM32

我使用STM32F41RE。 因为我的内存中没有更多的内存。我决定在闪存中存储大变量。为此，我在

section.ld

中创建了一个节

 .large_buffer: ALIGN(4)
    {
        . = ALIGN(4) ;
        *(.large_buffer.large_buffer.*)
        . = ALIGN(4) ;
    } >FLASH

在

main.c

文件中，我声明变量如下：

uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));

此时一切正常，缓冲区没有存储在RAM（bss）中，我可以访问它并重写它

buffer[25] = 42;
printf("%d\n", buffer[25]); // 42

当我想从其他文件编辑变量时，问题就出现了

main.c

uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));

int main()
{
  myFunc(buffer);
}

other.c

myFunc(uint8_t* buffer)
{
    buffer[25] = 42;
    printf("%d\n", buffer[25]); // 0
}

buffer

决不在另一个文件中更改（作为参数传递）

---

我错过什么了吗

由于闪存的物理设计，不能像写入RAM那样写入闪存。确切地说，您需要擦除扇区/页面（比如~1-4kB，它在MCU数据表中指定）。原因是，闪存即使未通电也会保持状态，只要您想更改0->1的任何位，就需要擦除整个扇区（擦除后，所有位都将设置为1）

---

因此，您不能将闪存用作数据存储器，您可以使用闪存存储常量（只读）值的变量，因此任何查找表都将完全适合于此（通常，当您将变量统计为常量时，编译器会将它们放在闪存中）。如何写入闪存您可以在MCU的参考手册中阅读。

由于闪存的物理设计，您无法以与写入RAM相同的方式写入闪存。确切地说，您需要擦除扇区/页面（比如~1-4kB，它在MCU数据表中指定）。原因是，闪存即使未通电也会保持状态，只要您想更改0->1的任何位，就需要擦除整个扇区（擦除后，所有位都将设置为1）

---

因此，您不能将闪存用作数据存储器，您可以使用闪存存储常量（只读）值的变量，因此任何查找表都将完全适合于此（通常，当您将变量统计为常量时，编译器会将它们放在闪存中）。如何写入闪存您可以在MCU的参考手册中阅读。

感谢您的回答。在闪存中存储缓冲区（通常需要R/W）是一个好的解决方案吗？我不建议将其作为可行的解决方案，首先需要保存RAM，以便能够先读取闪存，然后写入闪存。写入/擦除比读取慢得多，与RAM相比，写入/擦除闪存更长。另外，你可以执行的擦除周期是有限制的，通常大约是100k个周期。是的，我理解这个问题。在这一点上，我被卡住了，因为我无法保存ram。解决办法是什么？哪些优化是相关的？可能的解决方案是：-将一些只读变量移到const并存储在闪存中。-将SRAM作为附加设备添加到您的系统中，STM32F4具有FMC外围设备，允许您映射外部SRAM，并以与内部相同的方式使用它。-使用更大的MCU和更大的RAMOr-优化您的软件，找到一些可以缩小规模的地方，更改协议，以减少所需资源。找到如何以更短的方式存储信息的方法，比如说，有些地方不使用32位变量，而是将其打包为8位。如果在某些地方只使用布尔值（它基本上至少存储8位，因此可以使用8位变量和位掩码来存储多个标志。感谢您的回答。是否存储缓冲区（通常需要是R/W）在闪存中是一个很好的解决方案？我不建议将其作为可行的解决方案，首先，您需要保存RAM，以便能够先读取然后写入闪存。写入/擦除比读取慢得多，与RAM相比，写入/擦除闪存更长。此外，您可以执行的擦除周期也有限制，通常约为100k周期。是的，我知道理解这个问题。在这一点上，我被卡住了，因为我无法保存ram。什么是解决方案？什么优化是相关的？可能的解决方案是：-将一些只读变量移动到常量并存储在闪存中。-将SRAM作为附加设备添加到系统中，STM32F4具有FMC外围设备，允许您映射外部SRAM并使用它e与内部相同。-使用更大的MCU和更大的RAMOr-优化您的软件，找到一些可以缩小规模的地方，更改协议以减少所需资源。找到如何以更短的方式存储信息的方法，比如说，不要使用32位变量，有些地方将其打包为8位。如果在某些地方仅使用布尔值（它基本上至少存储8位，所以可以使用8位变量和位掩码来存储多个标志。