C 如何在不擦除其他页面的情况下擦除m25p40闪存的单个页面？

我使用的是带有jn5148 MCU的m25p40闪存。该闪存的数据表中写道：

擦除功能：

• 扇区擦除：0.6秒512Kb（典型）
• 大容量擦除：4Mb 4.5秒（典型）

我面临着覆盖存储在扇区一页中的数据的问题。那么，如何删除一页，并在该页中写入新数据？是否有任何解决方案可以擦除扇区的一页，而不擦除同一扇区的其他页？

根据：

使用该页，可以一次编程1到256字节的内存 程序命令。它被组织为8个扇区，每个扇区包含256个 页。每一页有256字节宽

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虽然我不知道它是否真的有效，我也无法测试它，但我还发现有人已经这样做了，如果你不想阅读页面程序序列（数据表第27页），这应该给你一个示例函数

write（address，word）

然后自己编写。

这是一个从m24p40文档中引用的扇区擦除过程

扇区擦除命令将所选扇区内的所有位设置为1（FFh） 部门在接受扇区擦除命令之前，先执行写入操作 “启用”命令必须在以前执行过。写完之后 启用命令已解码，设备将设置写入启用 锁紧（WEL）钻头。扇区擦除命令由驱动芯片输入 选择（S#）LOW，然后选择命令代码和三个地址字节 在串行数据输入（DQ0）上。扇区中的任何地址都是有效的 扇区擦除命令的地址。必须将S#降至较低的位置，以备将来使用 序列的整个持续时间。赛后，必须将S#开得很高 最后一个地址字节的第八位已锁定。否则 未执行扇区擦除命令。一旦S#被推高， 启动自定时扇区擦除周期；周期的持续时间 我是t-SE。当扇区擦除周期正在进行时，状态 可以读取寄存器以检查正在写入（WIP）的值 一点在自定时扇区擦除周期中，在制品位为1，为 循环完成时为0。在事故发生前的某个未指明的时间 循环完成后，WEL位复位。可以使用扇区擦除命令 如果适用于硬件或软件扇区，则不执行 受保护

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您不能重写一页。您必须至少重写一个扇区。 因此，如果您想更改或重写choosen扇区中任何页面中的至少一个字节，您可以执行以下操作：

将所有扇区读取到RAM

删除此扇区

更改RAM中所需的数据

将更改的数据写回闪存的扇区

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您必须阅读本文：

如果您只能擦除一个扇区，而不能擦除一页，那么您必须复制整个扇区，擦除它，然后将扇区写回（使用修改过的页面）。如果可以删除一页，那么应该在数据表中，仔细阅读！但在这种情况下，将添加不必要的延迟。修改一页内容至少需要2秒！！！我想用这个闪存来存储实时数据。你能给我一个“示例写入（地址，单词）”的链接吗？我的答案中已经有了，但我不明白这是如何回答这个问题的。页面程序与擦除页面不同。我不相信页面可以单独擦除。最后，他不想擦除页面，他想向页面写入新数据。