Embedded h，以便更快地启动。这些只是一些例子，还有其他考虑因素

RAM是易失性的，所以它不会在整个电源循环中保留代码。如果系统执行RAM中的代码，则需要引导加载程序在通电时获取代码并将其写入RAM。闪存是非易失性的，因此可以在通电时立即开始执行，不需要引导加载程序（但可能仍然有用）

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关于第三季度，答案是肯定的。如果系统是从RAM运行的，则.text将位于RAM中（但直到引导加载程序将其复制到RAM中）。如果系统从闪存运行，则.text部分将位于闪存中。.bss部分是变量，无论.text部分在哪里，.bss部分都将在RAM中。

我想补充一些关于问题Q2的内容

问题2：为什么引导加载程序需要将应用程序复制到RAM，然后从RAM运行应用程序？如果我们的应用程序运行于FLASH，我们将面临哪些困难

这不仅仅是关于拥有SPI或类似的串行外部代码内存（无论如何，这并不常见）

即使是连接到普通高速并行总线的外部ROM/FLASH/EPROM/也会由于外部存储器访问时间而阻止系统在最大时钟（零等待状态）上运行，即使在相对较慢的MCU上也是如此。100 MHz时钟需要10 ns的闪存访问时间，这并不容易（如果经济上可行的话）。你会同意，100兆赫不再是大脑旋转的速度：-）

这就是为什么许多MCU/CPU架构都在耍花招，一次读取乘法指令，或者拥有内部现金，或者做任何需要的事情来补偿缓慢的外部代码内存。只有最旧的8位体系结构可以直接从闪存（“就地”）执行代码

即使您唯一的代码内存是内部闪存，也需要做一些事情来加速它。以本文为例：

它描述了ARM7是如何集成了他们称之为MAM（内存加速模块）的东西的。这是一本很好的读物，您会发现一些措施可以加快特定ARM7体系结构的代码内存访问（适用于大多数其他体系结构）：

限制最大时钟频率（对于本文中的示例，从80 MHz到大约20 MHz）

在闪存访问期间插入等待周期

使用指令缓存

将程序代码从闪存复制到RAM

显然，如果指令缓存不是一个选项（太小，或者时钟太高），那么在启动时重新定位代码之后，实际上只剩下RAM执行了

还有一个选项可以只运行RAM中的特定代码段，该代码段可以指定给链接器。对于DSP（数字系统处理）系统，即使在时钟只有几十兆赫的旧时代，也没有选择从EPROM/FLASH运行，更不用说现在了

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另一个问题是调试，调试ROM甚至闪存中的代码的选项非常有限（您必须将代码的一部分移动到RAM中，才能在大多数系统上设置断点）。

关于第二季度，您可能面临的困难之一是从闪存执行另一个代码更新。如果您正从尝试更新的同一闪存块执行，系统将崩溃。这取决于您的系统架构（应用程序和引导加载程序在Flash中的组织方式），但如果您试图更新引导加载程序本身，则可能很难避免