Performance 对于磁盘/RAM，访问时间和读/写速度之间的关系是什么？

我试图更好地理解HDD/SSD/RAM在读写字节时的相对速度

以下是我从在线资源中找到的访问时间和读/写速度：

Storage | Read/Write speed | Access time
RAM     | 100 GB/s         |   50 ns
SSD     | 0.5 GB/s         |  500 ns
HDD     | 0.1 GB/s         | 5000 ns   

我最初的想法是，访问时间是读取1字节所需的时间，但看起来这些数字不支持这一点。读/写速度和访问时间之间到底有什么区别？它们有什么关系

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可以肯定地说，RAM比SSD快

~1000x

，SSD比HDD快

~100x

，因此RAM比HDD快

~10000x

。

这些估计似乎有点夸张，但它们都在合理的范围内。使用公共文件系统的读写速度要慢得多。如果您对易于使用的基准实用程序感兴趣，请下载一个ISO for memtest86，它将告诉您原始数据的实际RAM吞吐量。ArgusMonitor是用于windows的演示软件，但它可以为您提供原始数据的硬盘速度

如果我没有误认为使用原始数据的800MHz DDR2 RAM和SATA3硬盘上大约90-130MB/s的原始数据的话，我看到的平均速度大约是20GB/s。我还没有足够的资金对固态硬盘进行台架测试，但我看到他们声称其平均速度是我拥有的SATA3HDD的两到三倍

访问时间看起来就像搜索时间。基于磁盘的HDD必须进行旋转，磁头必须移动到要查找的数据位置（seek），这可能需要1-8毫秒，这有点像延迟。固态访问时间与您提到的差不多，RAM略低于您的估计，即从发出请求到检索数据的时间大约为10-15纳秒

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访问时间或延迟表示系统从请求到数据开始到达的等待时间。读写速度是单位时间内传输的数据量。通常，同一设备的读写速度不同

这些基准与每个基准采用的技术直接相关。在物理磁盘（HDD）上，读/写速度直接受转速影响，访问时间与磁头的移动有关

在SSD存储上，速度和访问时间与芯片内部结构和组织有关。SSD使用多个闪存芯片，这些芯片具有特定的自然访问时间和速度来存储数据。访问时间还受通过这些芯片分割数据的控制器的影响

RAM模块使用速度和访问时间都非常快的动态芯片（DRAM）。速度受芯片的影响，但也受模块的pcb设计和数据总线的影响。访问时间，在某种程度上。受芯片刷新率的限制

还有另一种叫做静态RAM（SRAM）的内存。SRAM使用比DRAM昂贵得多的技术，限制了其容量，但比DRAM快得多。它用于高速缓存处理器

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比较这些技术，可以肯定地说RAM比SSD快得多，而SSD在一般情况下比HDD快得多。投入数量并不是那么容易，因为技术不断发展，每一代产品的性能都有所提高。服务器应用程序设备的性能也比消费品设备好得多。

访问时间或多或少是读取一个字节所需的时间。但是读取两个字节的时间不会比读取一个字节的时间长两倍。访问时间是在随机位置读取所增加的开销。移动磁盘读卡器磁头需要一段时间。你可以听到。只有在不移动磁头的情况下，磁盘才会变快。使用superuser.com回答这样的问题。“对于完全未知的内存访问（也称为随机访问），相关延迟是关闭任何打开的行的时间，加上打开所需行的时间，然后是从中读取数据的CAS延迟。”在10-15 ns的估计中，您没有考虑行打开/关闭时间。