Android ARM霓虹灯汇编器-使用与维护；理解力

我对汇编程序和霓虹灯编程是新手。 我的任务是使用NEON指令将部分算法从C转换为ARM汇编程序。 该算法采用一个int32数组，从该数组加载不同的值，进行一些位移位和异或运算，并将结果写入另一个数组。 稍后我将使用64位值的数组，但现在我只是尝试重写代码

C Pseudo code:

out_array[index] = shiftSome( in_array[index] ) ^ shiftSome( in_array[index] );

以下是我关于霓虹灯使用说明的问题：

1.）如果我像这样加载寄存器：

vld1.32 d0, [r1]

它会从内存中只加载32位还是2X32位来填充64位Neon D寄存器

2.）如何访问D寄存器的2/4/8（i32、i16、i8）部分

3.）我试图从带有偏移量的数组中加载不同的值，但它没有 似乎工作…我做错了什么。。。这是我的密码： （这是一个整数数组，所以我尝试加载例如3元素，它的偏移量应该是64位=8字节）

其中“a”是数组，“out”是指向整数的指针（用于调试）

4.）从数组加载值后，我需要将其向右移动，但它似乎不起作用：

vshr.u32 d0, d0, #24     // C code:   x >> 24;

5.）是否可以在Neon寄存器中只加载1个字节，这样我就不必移位/屏蔽某些内容，从而只获得所需的1个字节

6.）我需要使用内联汇编程序，但我不确定最后一行的用途：

input list : output list : what is this for?

7.）你知道有什么好的NEON参考代码示例吗

该程序应该在三星Galaxy S2 cortex-A9处理器上运行，如果这有什么区别的话。谢谢你的帮助

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这就是我发现的：

它将始终加载完整寄存器（64位）

您可以使用“vmov”指令将neon寄存器的一部分传输到arm寄存器

偏移量应在arm寄存器中，并将添加到 内存访问后的基址

这是“被击倒的注册列表”。使用的每个寄存器，以及 输入或输出列表中都不应写入此处

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我可以回答你的大部分问题：（更新：澄清“车道”问题）

1） NEON指令一次只能从内存加载和存储整个寄存器（64位、128位）。有一种MOV指令变体，允许将单个“通道”移动到ARM寄存器或从ARM寄存器移动

asm(code : output operand list : input operand list : clobber list);

2） 可以使用NEON MOV指令影响单车道。执行过多的单元素操作会影响性能。霓虹灯指令通过对向量（浮点/整数组）执行并行操作来提高应用程序性能

3） ARM汇编语言中的立即值偏移量是字节，而不是元素/寄存器。霓虹灯指令允许使用寄存器进行后期增量，而不是立即值。对于普通ARM指令，post增量8将向源指针添加8（字节）

4） 霓虹灯的偏移会影响向量的所有元素。使用vshr.u32将24位右移将使两个32位无符号长移位24位，并丢弃移出的位

5） 霓虹灯指令允许将单个元素移入和移出正常ARM寄存器，但不允许从内存直接加载或存储到“通道”

6） ?

7） 从这里开始：ARM站点有一个关于NEON的很好的教程。

6）被破坏的寄存器

asm(code : output operand list : input operand list : clobber list);

如果您正在使用未作为操作数传递的寄存器，则需要通知 编译器对此进行了讨论。以下代码将值调整为四的倍数。信息技术 使用r3作为暂存寄存器，并通过在 打击者名单。此外，CPU状态标志由ands指令修改。 将伪寄存器cc添加到clobber列表将使编译器了解 这一修改也是如此

asm (
"ands R3, %1, #3"
"eor %0, %0, r3"
: "=r"(len)
: "0"(len)
: "cc", "r3"
);

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关于1和5：可以在NEON寄存器中加载和存储单个元素。只需在NEON寄存器后用[]指定元素索引。例如，相同的符号可以用于将一个向量与另一个向量中的单个元素相乘。除了后增量之外，这是非常正确的。不能使用NEON将立即值添加为后期增量。您可以使用寄存器ARM寄存器来执行此操作或使用！这将随着读取数据的大小而增加。将内容从SIMD寄存器移动到ARM寄存器将导致完整的管道刷新，大约需要14个周期。避免它。