Memory management 嵌套分页和阴影分页中的内存事务数

对于简单的说明，请说

MOV memorylocationA, memorylocationB 

假设我正在将值从一个寄存器移动到另一个寄存器

如果我们考虑一个TLB缺失，我们应该实际通过页面，TabLSi意味着最坏的情况，

嵌套页表的内存访问数为48。i、 e，1个用于访问CR3的内存访问，1个用于访问页表，20个用于通过影子页进行翻译的访问，1个用于访问指定的内存位置，1个用于访问实际物理地址，因此每次内存访问将为1+1+1+20+1。在这种情况下，我们正在访问寄存器BX和AX，因此总的转换数将为42+24=48。 因为在NPT中，来宾页面表中的每个翻译都要经过VMM页面表中额外的4个翻译

现在，如果我们使用扩展页表进行同样的操作，那么内存访问的数量将是 1用于CR3，1用于页表，1用于指定的memorylocation，4个内存转换，然后使用EPT进行相同的转换，因此另一个1+1+4=7。因此，在本例中，由于使用了这两个页表，来宾操作系统总共需要14次内存访问7次，VMM需要另外7次。总共28个，因为我们将访问两个内存位置a和B

这是我的理解。但是他们不应该是一样的吗？我有研究表明，EPT是由Intel和NPT由AMD引入的，它们的性能或多或少是相同的

那么，在最坏的情况下，如果使用NPT，上述指令将需要48次内存访问，如果使用EPT，则需要28次内存访问，这是真的吗

更新1：更改说明以保持清晰。假设我正在将寄存器上的值移动到另一个寄存器中。

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Update2：假设对于每个内存转换，我们访问页面目录指针、页面目录、页面表和4k页面

您的示例说明无效。另外，我不认为访问CR3是一种内存访问——CR3是CPU中的一个寄存器。页表访问也可能需要几个内存引用才能通过页表的几个层。。。我不知道确切的数字，但我知道在TLB和所有缓存级别中丢失的最坏情况访问是一件坏事…@twalberg：很抱歉造成混淆，我已经更新了指令。关于CR3，是的，它是一个寄存器，但我们应该访问它，以了解页面控制器指针在内存中的位置。CR3指向页面目录指针所在的内存位置，因此我将其计算为内存访问。如何使寄存器上的TLB未命中以进行寄存器移动？@AndrewMedico:我的意思是，我正在访问两个内存位置，这是一条示例指令。