Microcontroller 什么是迟编程ROM？

第3页的数据表（电视中使用的基于80C51的控制器）指出，它可以具有：

32-128Kx8位后期编程ROM

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我想知道这是什么意思？我有机会重新编程吗？

这意味着ROM是在被各种不同的方法封装之前编程的。这并不意味着设备可以重新编程：

美国帕特。第4295209号公开了在金属化之前通过离子注入通过上覆磷硅酸盐玻璃层中的开口对IGFET ROM进行后期编程。离子注入通过ROM中选定IGFET的多晶硅栅电极完成。ROM中的小尺寸保存在美国专利中。编号4295209，在磷硅酸盐玻璃层正下方加入氮化硅涂层。因此，当在磷硅酸盐玻璃层中蚀刻植入物开口时，多晶硅栅极不暴露。因此，金属线可以直接穿过植入物开口而不接触栅极电极。然而，氮化硅涂层通常很薄，并且在注入窗口内的漏极线和多晶硅栅极之间可能存在电容耦合。在较大尺寸的ROM中，这种电容耦合可能变得足够重要，从而降低ROM的速度

在我们上述同时提交的Ser中。第268086号，我们披露了一种不同的后期编程过程，通过该过程，通常结构的ROM可以保持较高的运行速度我们现在发现了一种技术，通过该技术，离子注入的使用方式与上述美国专利中概述的基本相同。编号4295209，但不会受到运行速度较慢的惩罚或较大ROM中的扩展尺寸。我们发现，美国的帕特。第4295209号后期编程方法在独特配置的高密度ROM上是有效的。这种独特的配置以前被称为六边形ROM。这种独特的配置不需要金属线穿过可回流玻璃层中的植入窗口。因此，电容耦合被最小化。因此，保留了最高速度和最大ROM密度