使用Int和float值更新char数组,而不使用sprintf?

使用Int和float值更新char数组,而不使用sprintf?,c,C,我正在使用C对微控制器(NHS3152)进行编程,以使用以下公式计算电阻: RES=(V1-V2)/I 我想写一个程序: 更新3个浮点数和1个整数(V1、V2、I、RES)的值 更新uint8_t text[]=“Char以存储V_1、V_2、I、Res的值”;一个字符串,其值为3个浮点数和1个整数 使用函数“Example1_Creating_an_NDEF…”将文本提交到内存中(如下所示) 我遇到的问题是用3个浮点数和1个整数的值更新文本。我可以用sprintf来实现,但是我不能用我的微控制

我正在使用C对微控制器(NHS3152)进行编程,以使用以下公式计算电阻:

RES=(V1-V2)/I

我想写一个程序:

  • 更新3个浮点数和1个整数(V1、V2、I、RES)的值
  • 更新uint8_t text[]=“Char以存储V_1、V_2、I、Res的值”;一个字符串,其值为3个浮点数和1个整数
  • 使用函数“Example1_Creating_an_NDEF…”将文本提交到内存中(如下所示)
  • 我遇到的问题是用3个浮点数和1个整数的值更新文本。我可以用sprintf来实现,但是我不能用我的微控制器来实现这个功能(我不知道为什么它会阻止我将其闪存到内存中)

    下面的代码是我想在上面第2点中实现的示例,在实际代码中,通过从mircocontroller上的传感器获取值来更新浮点值和整数值:

    #包括
    #包括
    静态挥发性浮子V_1=5.0;//存储电压值1
    静态挥发性浮子V_2=2.0;//存储电压2的值
    静态易失性int I=5;//存储当前值
    静态挥发性浮点数;//计算电阻
    int i=1;
    uint8_t text[]=“存储V_1、V_2、I、Res值的字符”;
    内部主(空)
    {
    printf(文本);
    printf(“\n”);
    //更新ADC_1、ADC_2、I、Res、,
    
    虽然(用它自己的代码格式化整数并不难,但是格式化浮点是复杂的。<代码>我不知道它为什么阻止我把它闪到内存
    去知道为什么和解决这个问题。你真的需要<代码>浮点< /代码>吗?你的MCU有浮点支持吗?只考虑使用整数。正如KamiCuk所说:int,可能是浮点* 100,然后实现itoa。@KamilCuk我对问题添加了一个编辑,也许有一个解决方案考虑到我的整数values@JoopEggen考虑到我拥有的大量值,我认为你的解决方案很难实现。也许乘以1000就行了。你的评论有代码解决方案吗?我可以测试它吗?它是nOTF很难用你自己的代码格式化整数,但是格式化浮点是复杂的。<代码>我不知道它为什么阻止我把它闪到内存去知道为什么和解决这个问题。你真的需要<代码>浮点< /代码>吗?你的MCU有浮点支持吗?只考虑使用整数。正如KamiCuk所说:int,可能是浮点* 100,然后是IMP。lement itoa.@KamilCuk我对这个问题添加了一个编辑,也许有一个考虑到我的整数的解决方案values@JoopEggen考虑到我拥有的大量值,我认为你的解决方案很难实现。也许乘以1000就行了。你的评论有代码解决方案吗,这样我就可以测试它了?