C 如何在STm32核子板（mbed）上写入SRAM

我想在芯片上的SRAM中存储一个简单的整数。（皮质M4） 我使用的程序是在线mbed。 我知道SRAM的地址从0x2000 0000开始，芯片有4KB的内存

我已经阅读了数据表和位绑定部分，但这对我来说毫无意义

有人能向我解释一下我如何将数字5存储在SRAM中并再次读取吗

当前代码是这样的（c是一个整数，用户可以通过按钮更改）：

if（c==100）{
温度=c；
MBX_B0=1；//字写入
temp=MBX_B7；//字读

计时器\u B0=temp；//字节写入
返回计时器\u B7；//字节读取
}
pc.printf（“%d”，温度）

只要c==100，它就会停止运行
即使在断电后也应保存该值。
在阅读有关的内容时，我在

我把它抄出来并编译了。这应该让你开始

#define BITBAND_SRAM_REF   0x20000000
#define BITBAND_SRAM_BASE  0x22000000
#define BITBAND_SRAM(a,b)  ((BITBAND_SRAM_BASE + (a-BITBAND_SRAM_REF)*32 + (b*4))) // Convert SRAM address
#define BITBAND_PERI_REF   0x40000000
#define BITBAND_PERI_BASE  0x42000000
#define BITBAND_PERI(a,b)  ((BITBAND_PERI_BASE + (a-BITBAND_PERI_REF)*32  + (b*4))) // Convert PERI address
#define MAILBOX            0x20004000
#define TIMER              0x40004000 // Mailbox bit 0
#define MBX_B0             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,0))) // Mailbox bit 7
#define MBX_B7             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,7))) // Timer bit 0
#define TIMER_B0           *((volatile unsigned char*)(BITBAND_PERI(TIMER,0)))  // Timer bit 7
#define TIMER_B7           *((volatile unsigned char*)(BITBAND_PERI(TIMER,7)))

int main(void)
{
    unsigned int temp = 0;

    MBX_B0 = 1;      // Word write    
    temp = MBX_B7;   // Word read    
    TIMER_B0 = temp; // Byte write    
    return TIMER_B7; // Byte read
}

有人能向我解释一下我如何将数字5存储在SRAM中并再次读取吗

在上面的示例代码中，
temp
位于RAM中

如果您现在不关心使用位绑定，只需声明一个变量
intx=5
即可将数字5存储在RAM中。
在阅读有关的内容时，我在

我把它抄出来并编译了。这应该让你开始

#define BITBAND_SRAM_REF   0x20000000
#define BITBAND_SRAM_BASE  0x22000000
#define BITBAND_SRAM(a,b)  ((BITBAND_SRAM_BASE + (a-BITBAND_SRAM_REF)*32 + (b*4))) // Convert SRAM address
#define BITBAND_PERI_REF   0x40000000
#define BITBAND_PERI_BASE  0x42000000
#define BITBAND_PERI(a,b)  ((BITBAND_PERI_BASE + (a-BITBAND_PERI_REF)*32  + (b*4))) // Convert PERI address
#define MAILBOX            0x20004000
#define TIMER              0x40004000 // Mailbox bit 0
#define MBX_B0             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,0))) // Mailbox bit 7
#define MBX_B7             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,7))) // Timer bit 0
#define TIMER_B0           *((volatile unsigned char*)(BITBAND_PERI(TIMER,0)))  // Timer bit 7
#define TIMER_B7           *((volatile unsigned char*)(BITBAND_PERI(TIMER,7)))

int main(void)
{
    unsigned int temp = 0;

    MBX_B0 = 1;      // Word write    
    temp = MBX_B7;   // Word read    
    TIMER_B0 = temp; // Byte write    
    return TIMER_B7; // Byte read
}

有人能向我解释一下我如何将数字5存储在SRAM中并再次读取吗

在上面的示例代码中，
temp
位于RAM中

如果您现在不关心使用位绑定，只需声明一个变量
int x=5
即可将数字5存储在RAM中。
编辑，您的问题会完全改变答案，因为您对SRAM写入完全不感兴趣，只对闪存/eeprom

因此，在这个答案中添加一个主要部分，您的评论在这里是至关重要的：

但即使在断电后，是否仍存储了该值？这不是SRAM的功能吗
你会用它来代替普通的RAM吗？RAM=没有电源时失去价值，
SRAM=无电源时保持值

SRAM表示静态RAM，RAM表示随机存取存储器。现在，根据这个定义，RAM可以安全地用于ROM（只读存储器）之类的东西，因为随机部分与寻址有关，我可以寻址我想要的任何随机地址，或者我只能按照一些规则使用一个接一个的线性地址来读这个东西

约定是ROM是非易失性的，RAM是易失性的，这是这里的相关术语。ROM的实现从技术上讲不是只读的，PROM是可编程的，这意味着可写的，所以有点打破了术语EPROM的电气可编程性，EEPROM是电气可擦除和可编程的。闪存是一种较新的技术，可电擦除、可编程rom或非易失性存储器

从这个意义上讲，挥发性意味着它能够或不能在一个电力循环中生存。volaitle意味着它不能，而非volatile意味着它可以

SRAM中的S是静态的，这一术语意味着它可能存活下来，特别是当你学习DRAM时。D表示动态的，假设一个在电源循环中存活下来，另一个没有存活下来是完全正确的，但不幸的是，这不是他们所指的。相反，在这两种情况下，它们都与保持通电的内存有关，它们都是易失性内存。去维基百科上查这些。静态使用四个晶体管，比如说，在一个经典的触发器实现中，两个带反馈的门，你写的位高或低，只要电源不关闭，它就保持它不会忘记的值（只要电源保持打开）。虽然DRAM使用一个晶体管，并且在某种程度上严重依赖于晶体管中的电容，有点像一个蹩脚的可充电电池，你想让它记住一个1，你必须给它充电，它会快速放电（以毫秒为单位），所以你必须不断提醒它是1或0（刷新）

静态ram是静态的，因为我们只需告诉它一次，它就会记住，动态ram是动态的，因为我们告诉dram系统该位是什么，作为一个系统，我们必须不断提醒它，这是通过读取该位，然后重新编程/以一定的频率对该位充电来实现的

DRAM价格便宜，可以将四倍于比特数的数据封装到相同数量的晶体管中，SRAM速度快，没有复杂的开销，也没有刷新周期，它只是门，所以可以像其他门一样快速运行，就像做其他事情（处理指令）的门一样快

微控制器将在其ROM、PROM、EEPROM或闪存中具有某种形式的非易失性存储器（现在有各种类型）。有时您同时拥有闪存和eeprom，eeprom用于您可能需要的东西，有时出于反向兼容性的原因，他们有一个eeprom遗留接口，但实际上是使用主闪存进行存储。在任何情况下，您都必须查看您的芯片和/或芯片系列的文档。如今，在应用程序中能够写入片内非易失性存储器（eeprom/flash）是很常见的（尽管有许多例外）。文档会告诉你怎么做

这一切都很好，但一些免费的建议是，如果你做错了，你可以在几个小时或几天内磨掉你的闪光灯……事实上……这个部分可能会被毁掉。理想情况下，您希望电路板上的支持能够检测到电源下降，同时具有足够的大容量电容或电池或两者，以使电路板/设备保持足够长的活动时间，以满足最坏情况下保存非易失性信息所需的时间（理想情况下，首先确认值已更改，否则不要烧掉擦除周期）。实现起来非常简单，但仍比磨损闪存要好

关于如何不磨损闪存，有很多解决方案和意见，可悲的是，一些闪存硬件具有写入均衡的逻辑，如果同时使用软件和硬件
#define MBX_B0             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,0)))

#define MAILBOX            0x20004000
#define BITBAND_SRAM(a,b)  ((BITBAND_SRAM_BASE + (a-BITBAND_SRAM_REF)*32 + (b*4)))
#define BITBAND_SRAM_BASE  0x22000000
#define BITBAND_SRAM_REF   0x20000000

0x22000000+(0x20004000-0x20000000)*32 + (0*4)

= 0x22080000

MBX_B0 = 1;

#define SOME_ADD *((volatile unsigned int*)(0x20001234)
unsigned int x;
SOME_ADD = 5;
x = SOME_ADD;

#define BITBAND_SRAM_REF   0x20000000
#define BITBAND_SRAM_BASE  0x22000000
#define BITBAND_SRAM(a,b)  ((BITBAND_SRAM_BASE + (a-BITBAND_SRAM_REF)*32 + (b*4)))
#define MAILBOX            0x20004000
#define MBX_B0             *((volatile unsigned int*)(BITBAND_SRAM(MAILBOX,0)))

#define SOME_ADD *((volatile unsigned int*)(0x20001234))

unsigned int fun ( void )
{
    unsigned int x;

    MBX_B0 = 1;

    SOME_ADD = 5;
    x = SOME_ADD;

}

00000000 <fun>:
   0:   e3a0c001    mov r12, #1
   4:   e3a02005    mov r2, #5
   8:   e59f1010    ldr r1, [pc, #16]   ; 20 <fun+0x20>
   c:   e59f3010    ldr r3, [pc, #16]   ; 24 <fun+0x24>
  10:   e581c000    str r12, [r1]
  14:   e5832234    str r2, [r3, #564]  ; 0x234
  18:   e5933234    ldr r3, [r3, #564]  ; 0x234
  1c:   e12fff1e    bx  lr
  20:   22080000    andcs   r0, r8, #0
  24:   20001000    andcs   r1, r0, r0

unsigned int some_value;
void fun ( void )
{
    some_value = 5;
}

00000004 <fun>:
   4:   e3a02005    mov r2, #5
   8:   e59f3004    ldr r3, [pc, #4]    ; 14 <fun+0x10>
   c:   e5832000    str r2, [r3]
  10:   e12fff1e    bx  lr
  14:   20000000    andcs   r0, r0, r0

Disassembly of section .bss:

20000000 <some_value>:
20000000:   00000000    andeq   r0, r0, r0

void fun ( void )
{
    unsigned int some_value;
    some_value = 5;
}

00000000 <fun>:
   0:   e12fff1e    bx  lr