如何使用PIC18写入和读取内存？

我想将一个数字存储到PIC18，然后保留它，即使断电或设备复位。我认为我的编写代码部分看起来不错，只是在重置单元后，它的读取部分看起来很奇怪

我使用的是从Microchip获得的以下代码

代码：

unsigned int value;
unsigned int DEEdata = 1;
unsigned int  DEEaddr = 0x04;

DataEEInit();
dataEEFlags.val = 0;

DataEEWrite(DEEdata,DEEaddr);
value = DataEERead(DEEaddr);
Nop();
printf("%d",value);

输出：1

然而，当我重置装置，只使用读取代码时，我总是得到255

要读取的代码：

DataEEInit();
value = DataEERead(DEEaddr);
printf("%d",value);

输出：255

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为什么会这样？我假设可能没有保存值或读取部分不正确。谢谢大家!

要在电源循环时保留值，应使用SRAM内存。请先确认您是否有可用的SRAM内存。

您正在使用的设备除了通常用于存储代码的闪存之外，没有内部非易失性内存

我可以看到您有两个选择：

使用一些外部闪存或EEPROM，并将其连接到本PIC上提供的外部内存总线（参见系列数据表第97页）

重新映射内部闪存以保留一小部分可用于存储数据（这样它不会干扰专门用于代码的存储区域），并将数据写入该区域（第87页）

我已经多年没有使用PIC了，所以不能提供太多的实现细节，但我怀疑有很多例子可以从Microchip的网站上获得

本质上，代码不工作的原因是因为您试图访问不存在的内存。如果存在，则接口不正确

编辑：

我在Microchip的网站上浏览了PIC18的代码示例页面，找不到任何用于写入程序内存的C示例。不幸的是，看起来您必须在汇编程序中实现它。我不知道MPLAB编译器的语义，但一般来说，如果要以内联方式进行编译，它会是这样的：

void my_assembler_function(void)
{
    // Inline assembler code, actioned via C.
    asm("MOV x y");
    asm("MOV y z");
}

或者，许多微处理器的C编译器允许您使用C函数调用外部

.s

文件，从而避免了内联调用

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我想你可以按照我找到的例子来实际实现你想要的功能。

一些PIC18微型机除了内部闪存之外还有一个内部EEPROM。18F87J11没有此功能，因此您有2个选项：

1） 写入闪存-这是存储程序的地方。确保应用程序的写入/读取周期数正常

2） 使用外部i2c或spi内存进行配置设置

您使用的DataEEWrite来自microchip的“eeprom仿真”库（链接在下面的评论中）。有几件事需要注意：

• 重新编程闪存时请小心！您可能会覆盖您的设置
• 请记住，它不是真正的eeprom！写入周期是有限的，您必须擦除大部分内存-您不能擦除一个字节

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SRAM不能用于存储非易失性数据

SRAM将在电源循环期间丢失数据

选项： 1.如果可用，使用内部EEPROM。 2.通过I2C或SPI的外部EEPROM。

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3.PIC18数据仿真库。

255的值是EEPROM内存的默认值。我认为在更改代码后，您可以重新编程微控制器IC。因此，您的EEPROM内存将被擦除并返回其默认值。如果您使用MPLAB作为编译器，您可以转到“程序员”选项卡>设置>程序内存>程序选项和click on保存EEPROM on程序。

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希望它能工作。

两个功能：使用64字节缓冲区@8字节块写入闪存和读取/比较闪存功能

用于设备：PIC18F46K80

头文件的内容：

#define PRGM_BUFFER_SIZE 8
#define TABLE_WRITE_SIZE 64

#define LOAD_TBL_PTR(x) { TBLPTRU = ((((x)>>8)>>8)&0xff);\
                      TBLPTRH = (((x) >> 8) & 0xff);\
                      TBLPTRL = ((x) & 0xff);\
                    }

写入闪存功能：

/******************************************************
 * Function     : write_block
 * Input        : uint16_t position in destination flash
 * Global       : uint8_t buffer[64] - Location of source data
 * Output       : None
 * Description  : Writes the contents of the 64 byte
 * data buffer to program flash space.  Only 64 bytes
 * can be written at once.   The process of writing
 * to flash is: Erase->Write.
 ******************************************************/
static void write_block(uint16_t addr)
{
    int r, c;

    // Erase flash block first.  Erases a 64 byte block at a time.

    LOAD_TBL_PTR(addr);

    EECON1bits.EEPGD = 1;   // Point to flash program memory
    EECON1bits.CFGS = 0;    // Access flash memory
    EECON1bits.WREN = 1;    // Enable write to memory
    EECON1bits.FREE = 1;    // Enable Erase operation

    EECON2 = 0x55;
    EECON2 = 0xAA;

    EECON1bits.WR = 1;      // Clear the flash

    asm("NOP");             // Stall

    // Write buffer to internal buffer.  This process writes 8 bytes at a time
    // so we need to loop 8 times (8*8 = 64).)

    for (r = 0; r < 8; r++)
    {
        LOAD_TBL_PTR((addr + (r * 8)));

        for (c = 0; c < PRGM_BUFFER_SIZE; c++)
        {
            TABLAT = buffer[(r * 8) + c];

            asm("TBLWT*+");      // Push byte and then inc to next internal buffer cell
        }

        // Write the block to flash

        asm("TBLRD*-");         // Point back to original row

        // Write internal buffer to flash

        EECON1bits.EEPGD = 1;   // Point to flash program memory
        EECON1bits.CFGS = 0;    // Access flash program memory
        EECON1bits.WREN = 1;    // Enable write to memory
        INTCONbits.GIE = 0;     // Disable interrupts

        EECON2 = 0x55;
        EECON2 = 0xAA;

        EECON1bits.WR = 1;      // Start programming flash
        INTCONbits.GIE = 1;     // Re-enable interrupts
        EECON1bits.WREN = 0;    // Disable write to memory
    }
}

/******************************************************
*功能：写入块
*输入：uint16\t目标闪存中的位置
*全局：uint8\u t缓冲区[64]-源数据的位置
*输出：无
*描述：写入64字节的内容
*数据缓冲区用于编程闪存空间。仅64字节
*可以一次完成。写作的过程
*闪存是：擦除->写入。
******************************************************/
静态无效写入块（uint16地址）
{
int r，c；
//首先擦除闪存块。一次擦除64字节块。
加载待测PTR（地址）；
EECON1bits.EEPGD=1；//指向闪存程序存储器
EECON1bits.CFGS=0；//访问闪存
EECON1bits.WREN=1；//启用对内存的写入
EECON1bits.FREE=1；//启用擦除操作
EECON2=0x55；
EECON2=0xAA；
EECON1bits.WR=1；//清除闪光灯
asm（“NOP”）；//暂停
//将缓冲区写入内部缓冲区。此进程一次写入8字节
//所以我们需要循环8次（8*8=64）
对于（r=0；r<8；r++）
{
加载（addr+（r*8））；
对于（c=0；c

验证写入数据（演示闪存读取）

/******************
/******************************************************
 * Function     : compare_block
 * Input        : uint16_t position in destination flash
 * Global       : uint8_t buffer[64] - Location of previous written data
 * Output       : bool true=successful, false=did not match
 * Description  : Reads a 64 byte block of flash memory and
 * compares it to the data found in the global buffer.
 ******************************************************/
static bool compare_block(uint16_t addr)
{
    bool retVal = true; // succeeds
    uint8_t i = 0;

    INTCONbits.GIE = 0;     // Disable interrupts

    LOAD_TBL_PTR(addr);

    for (i = 0; i < TABLE_WRITE_SIZE && retVal == true; i++)
    {
        asm("TBLRD*+");

        if (buffer[i] != TABLAT)
            retVal = false;
    }

    INTCONbits.GIE = 1;     // Enable interrupts

    return retVal;
}

/* EEPROM Read and Write Functions -- WORKING
 * Used PIC18F45K22 and MPLAB and C18
 * Read and Write functions work.
 * EEPROM has 256 bytes of memory (256 distinct characters)
 * Select "Window" -> "PIC Memory Views" -> "EE Data Memory"
 * Download program to PIC18
 * Hold PIC in Reset (circle arrow with pause button)
 * Open EE Data Memory Tab and click "Read Device Memory" button (Top left of EE Data tab) while PIC is held in Reset
 */

#include <p18cxxx.h>
#include <p18f45k22.h>
#include <stdlib.h>
#include <stdio.h>
#include <ctype.h>

#pragma config FOSC = INTIO67, PLLCFG = OFF, PRICLKEN = ON, FCMEN = ON,     PWRTEN = OFF
#pragma config BOREN = SBORDIS, BORV = 250, WDTEN = OFF, WDTPS = 2048,    PBADEN = OFF, WRTD = OFF
#pragma config HFOFST = OFF, MCLRE = EXTMCLR, STVREN = ON, LVP = OFF, DEBUG = ON, CPD = OFF

void EE_Write(unsigned char addr, unsigned char value);
unsigned char EE_Read(unsigned char addr);

unsigned char test;

void main(void){
    OSCTUNEbits.PLLEN = 1;
    OSCCON = 0x4C; //Set to use internal clock.
    OSCCON2 = 0x00; // No 4x PLL

    TRISB = 0x00;
    ANSELB = 0x00;
    PORTB = 0x00;

    EE_Write(05, 0x5A);
    Delay10KTCYx(50);
    test = EE_Read(05);

    Delay10KTCYx(50);
    PORTB = 0xFF;

    Delay10KTCYx(50);
    PORTB = 0x00;

}

void EE_Write(unsigned char addr, unsigned char value)         
{         
    unsigned char SaveGIE = 0;         

    // Set EEPROM address                
    EEADR  = addr%256;         
    // Set EEPROM data         
    EEDATA = value;         
    // Select Data         
    EECON1bits.EEPGD = 0;         
    // Select EEPROM         
    EECON1bits.CFGS = 0;         
    // Enable write         
    EECON1bits.WREN = 1;         
    // Save current global interrupt enable state         
    SaveGIE = INTCONbits.GIE;         
    // Disable interrupts         
    INTCONbits.GIE = 0;         
    // Write unlock sequence         
    EECON2 = 0x55;         
    EECON2 = 0xaa;         
    // Start write         
    EECON1bits.WR = 1;         
    // Restore previous interrupts enable state         
    INTCONbits.GIE = SaveGIE;         
    // Wait for write completion         
    while(EECON1bits.WR);        
    // Disable writes         
    EECON1bits.WREN = 0;         
}

unsigned char EE_Read(unsigned char addr){

    while(EECON1bits.RD || EECON1bits.WR); // check the WR&RD bit to see    if a RD/WR is in progress
    EEADR = addr; // Write the address to EEADR.
    EECON1bits.CFGS = 0;
    EECON1bits.EEPGD = 0;
    EECON1bits.RD = 1; // Set the RD bit to trigger the eeprom read  operation.
    return(EEDATA);
}