Embedded Cortex-M3 STM32F103 core在闪存页擦除期间是否因为FPEC忙且可以'；你不能从flash中获取更多的指令吗？

在STM32F103上，擦除闪存页需要20毫秒的时间，在此期间内核会暂停。从ST PM00042闪存编程手册中不清楚，在擦除闪存页时，内核是否总是会暂停，或者只是因为指令流本身在闪存中（在我的项目中），FPEC（闪存接口）很忙，无法获取更多指令而暂停

问这个问题的另一种方式是“从RAM运行我的flash编程代码会避免flash页面擦除暂停吗？”

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谢谢，

我相信在闪存编程过程中，任何试图访问闪存的操作都会导致CPU停机

因此，您要做的是确保关键代码（可能是中断处理程序、看门狗kicker等）可以在程序操作期间从RAM中运行。上次我使用STM32时（大概是2年前），我就是这么做的

因此，为了清楚起见，请回答您文章末尾的问题：

问这个问题的另一种方式是 “你会运行我的flash编程吗 来自RAM的代码避免闪存页 删除暂停？”

我相信答案是“不”。闪存编程驱动程序位于何处并不重要，重要的是在执行擦除/编程操作时，代码执行了什么操作。如果CPU在操作期间试图访问flash，甚至是读取程序的指令或读取常量表，我相信它会暂停

我知道这就是NXP flash在他们的ARM uCs上的工作原理，但我也想引用STM32的章节。出于某种原因，flash编程手册目前似乎不可用，但我在类似的文档（我相信是PM0068）中找到了以下语言：

只要CPU不访问闪存，正在进行的闪存操作就不会阻塞CPU

及

如果在编程期间启动读/写操作[闪存]（BSY位设置），CPU将暂停，直到正在进行的主闪存编程结束

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太棒了，谢谢。我目前正在做的是尝试将有问题的代码加载到RAM中，以尝试执行此操作。我会告诉你我的情况。我只是希望PM00042和你引用的PM一样清晰…PM00042已经消失了-试着寻找PM0056或PM0063。您也可以访问ST网站，找到STM32部分并查找“编程手册”文档。