Flash CodeWarrior对MCF51QE128进行编程;特权侵犯“;写入闪存的异常
我有一个在CodeWarrior中用C(对我来说是新的)编写的应用程序。处理器为MCF51QE128。我熟悉旧MC6809(8位)处理器中的汇编语言。 麻烦代码是:Flash CodeWarrior对MCF51QE128进行编程;特权侵犯“;写入闪存的异常,flash,volatile,flash-memory,codewarrior,Flash,Volatile,Flash Memory,Codewarrior,我有一个在CodeWarrior中用C(对我来说是新的)编写的应用程序。处理器为MCF51QE128。我熟悉旧MC6809(8位)处理器中的汇编语言。 麻烦代码是: FSTAT=(byte)(0x30); asm { move.l D0,0x1f000; // Dummy address writeVarA_Flash }//End of asm FCMD=(byte)(0x40); // Sector Erase Command (4000 cycles 0
FSTAT=(byte)(0x30);
asm {
move.l D0,0x1f000; // Dummy address writeVarA_Flash
}//End of asm
FCMD=(byte)(0x40); // Sector Erase Command (4000 cycles 0f 5 microsec period = 20,000 microsec.
FSTAT=(byte)(0x80); // Start the command
在.lcf文件中,我将权限更改为
记忆{
代码(RWX):原点=0x00000410,长度=0x0001DBF0
userram(RWX):原点=0x00800000,长度=0x000020000
userrom(RWX):原点=0x0001E000,长度=0x00000002
}
代码导致“FSTAT”寄存器中出现“Protection invalization”标志(在调试中观察到),程序进入拉拉区。
安全系统已关闭。userrom部分是否仍被视为闪存的“受保护”区域?我需要在断电期间存储易失性整数。
我错过了什么