Memory 如何为STM32L475板交换闪存中的两个区域？

我正在研制STM32L475物联网套件，这是一种ARM M4 Cortex设备。我想交换两个闪存区域。我使用的板有两个闪存组，每个组的大小为512KB，所以我有1MB的闪存。我读到，为了交换闪存的内容，您必须先解锁它，然后擦除它，然后写入它，并在操作结束后锁定闪存

另一个限制是，一次只能复制2KB的内存（定义为一个页面）。因此，只能逐页复制内存。对于我的应用程序，如果满足某些条件，我必须交换存储在闪存中的应用程序1和2。虽然这两个应用程序都被分配了384KB的内存，但它们实际使用的内存都少于384KB（例如264KB）

我试着按照上面的步骤去做，但它不起作用。以下是我尝试的代码：-

#定义应用程序地址0x0800F000
#定义应用程序2_地址0x0806F800
#定义交换地址0x0806F000
布尔交换（void）
{
char*app_1=（char*）APPLICATION_ADDRESS；//指向application1的第一个地址
char*app_2=（char*）APPLICATION2_ADDRESS；//指向APPLICATION2的第一个地址
int mem1=getMemorySize（（unsigned char*）APPLICATION_ADDRESS）；//返回Application1中的字节数
int mem2=getMemorySize（（unsigned char*）APPLICATION2_ADDRESS）；//返回APPLICATION2中的字节数
整数极限；
如果（mem1>mem2）
极限=mem1；
其他的
极限=mem2；
解锁_FLASH（）；
int lm=极限/2048；
对于（int i=1；iSR&FLASH\u SR\u BSY）！=0）；
//检查控制器是否已解锁
如果（（闪烁->闪烁和闪烁锁定）！=0）{
//写第一个键
闪光->按键=闪光\u FKEY1；
//写第二个键
闪烁->按键=闪烁\u FKEY2；
}
}
无效擦除_闪存（int*c）
{
FLASH->CR |=FLASH_CR_PER；//页面擦除操作
FLASH->ACR=c；//设置要写入的页面的地址
FLASH->CR |=FLASH_CR_STRT；//开始页面擦除
//等待页面擦除完成
而（（FLASH->SR&FLASH\u SR\u BSY）！=0）；
//如果设置了操作结束位。。。
如果（（闪存->SR&FLASH\U SR\U EOP）！=0）{
//明白了，手术成功了
闪光->SR |=闪光| SR | EOP；
}
//否则就会出错
否则{
//管理错误案例
}
//退出页面擦除模式
闪光->闪光和闪光；
}
无效写入闪存（int*a，int*b）
{
对于（inti=1；iCR |=FLASH_CR_PG；//编程模式
*（\u IO uint16\u t*）（b）=*a；//写入数据
//等待操作结束
而（（FLASH->SR&FLASH\u SR\u BSY）！=0）；
//如果设置了操作结束位。。。
如果（（闪存->SR&FLASH\U SR\U EOP）！=0）{
//明白了，手术成功了
闪光->SR |=闪光| SR | EOP；
}
//否则就会出错
否则{
//管理错误案例
}
}
FLASH->CR&=~ FLASH\u CR\u PG；
}
无效锁定\u闪存（无效）
{
闪烁->闪烁锁定=闪烁锁定；
} 

在这里，交换缓冲区用于在交换时将每个页面（2KB）临时存储为缓冲区。此外，变量限制存储应用程序1和2的最大大小，以便在前面提到的内存大小不等的情况下交换时不会出错。因此，基本上我是逐页交换，一次仅为2KB

有人能找出代码中的错误吗

谢谢，

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Shetu是2048字节，而不是2024字节。修复整个代码的增量

另一个限制是每次只能复制2KB的内存

还有一点是，这些内存块必须与2KB对齐

这个地址

#define APPLICATION2_ADDRESS 0x08076400

如果未正确对齐，则其值应能被2048整除（0x800）

#define APPLICATION2_ADDRESS 0x08076400