Memory 使用用户数据写入和擦除内部闪存的次数

在我的stm32 mcu上没有eeprom。因此，我使用内部闪存保存一个字节的用户数据，以便在两次电源循环之间保留数据。我按照以下方式进行操作

在链接器脚本的内存中添加数据节

记忆 { RAM（xrw）：原点=0x20000000，长度=8K 闪光（rx）：原点=0x8000000，长度=64K 数据（xrw）：原点=0x8003800，长度=2K//分配了一个完整的闪存页 }

创建用户数据部分

.用户数据： { .=对齐（4）； *（.用户数据） .=对齐（4）； }>数据

创建一个变量以存储在flash中

属性（节（“.user\u data”））const uint8\u t userConfig[64]

使用以下函数写入数据

HAL_FLASH_Unlock（）

__HAL_FLASH_CLEAR_标志（FLASH_标志| EOP | FLASH_标志| Oper | FLASH_标志| WRPERR | FLASH_标志| FLASH_标志| PGSERR）

闪存擦除扇区（闪存扇区11，电压范围3）

HAL_FLASH_程序（键入程序、WORD和userConfig[index]，someData）

HAL_FLASH_Lock（）

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我的问题是，通过这种方式可以对内部闪存进行多少次写入以保存用户数据？

STM32内部闪存的特性始终在产品数据表中详细说明。例如，在STM32H743上，耐久性为10周

您可以由此推断，内部闪存不适合您的用例（除非电源循环是异常事件）

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如果您确实需要多次编写内部Flash（我强烈怀疑），您可能需要了解Flash翻译层的概念。它是一个软件层，提供一种虚拟到物理内存映射，并允许减少闪存磨损。

您正在使用的特定部件的数据表应该说明闪存的额定写入周期。并非所有的stm32设备都是一样的。@NateEldredge我也这么认为。但我似乎在数据表和参考手册数据表中找不到该信息-参考手册-我在第17页找到了eeprom仿真的应用说明，其中有各种stm32 MCU的闪存耐久性表-查看设备数据表中的“闪存耐久性和数据保留”表（不是参考手册）。我可以找到我使用的每个控制器的te信息。如果我使用mcu的电源电压检测器功能，并且仅在断电时打开闪光灯，在通电时读取。那也会减少磨损，对吧？我不知道。断电的频率有多高？如果这是一个例外事件，可能就足够了。